Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA10BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA10BDP
SIRA10BDP-T1-GE3 Hakkında
SIRA10BDP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile tasarlanmış olup, 25°C'de 30A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, düşük on-state direnci (3.6mΩ @ 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan bu MOSFET, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve yük anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 4.5V ve 10V gate drive voltajlarında çalışabilir, 36.2nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok