Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA06DP
SIRA06DP-T1-GE3 Hakkında
SIRA06DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC/DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 2.5mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli işletme sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 77nC gate charge ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3595 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok