Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIRA01DP
SIRA01DP-T1-GE3 Hakkında
SIRA01DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile 26A (Ta) / 60A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.9mΩ (10V, 15A) düşük RDS(on) direnci, hızlı anahtarlama işlemleri için 112nC gate charge değeri ve geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilme özelliği ile güç elektronikleri, DC-DC dönüştürücüler, pil yönetim sistemleri ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 112 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3490 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok