Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR890DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR890DP
SIR890DP-T1-GE3 Hakkında
SIR890DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ile 50A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 paketlemesi ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (2.9mΩ @ 10A, 10V) sayesinde ısıl kaybı minimize eder. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate voltaj toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesi sağlar. Maksimum 60nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2747 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok