Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR882BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR882BDP
SIR882BDP-T1-RE3 Hakkında
SIR882BDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source geriliminde çalışabilen bu bileşen, 67.5A (Tc) sürekli drain akımı sağlar. PowerPAK® SO-8 SMD paketinde sunulan transistör, 8.3mOhm (10V, 15A) son derece düşük on-state direnci ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunarak, güç yönetimi, motor sürücüleri, LED kontrolü ve anahtarlama regülatörleri gibi endüstriyel ve tüketim elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3762 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok