Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR878
SIR878BDP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIR878BDP-T1-RE3, N-channel MOSFET transistörü olup 100V drain-source geriliminde çalışmaktadır. 12A kontinyu akım (Ta) ve 42.5A akım (Tc) kapasitesine sahip bu komponentin Rds(on) değeri maksimum 14.4mΩ'dur. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (38nC @ 10V) ve düşük input kapasitans (1850pF @ 50V) özellikleri sayesinde anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 42.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok