Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR878ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR878ADP
SIR878ADP-T1-GE3 Hakkında
SIR878ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj toleransı ve 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Düşük on-direnç değeri (14mOhm @ 15A, 10V) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 44.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok