Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR876BDP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR876BDP
SIR876BDP-T1-RE3 Hakkında
SIR876BDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ile güç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 13.6A sürekli dren akımı (Ta) ve 51.4A (Tc) kapasitesine sahiptir. 10.8mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK® SO-8 surface mount paketi sayesinde kompakt devre tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilen bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3040 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 71.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok