Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR876ADP
SIR876ADP-T1-GE3 Hakkında
SIR876ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük on-direnç değeri (10.8mOhm @ 20A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. Geniş işletme sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate charge değeri (49nC) ile hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok