Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR873DP
SIR873DP-T1-GE3 Hakkında
SIR873DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 37A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 47.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 10V kapı-kaynak geriliminde 48nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1805 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok