Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR872DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR872DP
SIR872DP-T1-GE3 Hakkında
SIR872DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 53.7A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 18mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp işlemlere uygundur. Gate charge karakteristiği 64nC ve input capacitance 2130pF değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, invertörler, motor sürücüleri ve yüksek akımlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2130 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok