Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR872ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR872ADP
SIR872ADP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR872ADP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 150V drain-source voltaj dayanımı ile 53.7A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketi ile tasarlanan bu bileşen, düşük gate charge (47 nC @ 10V) ve düşük on-resistance (18mOhm @ 20A, 10V) karakteristikleri ile güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 104W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle DC-DC dönüştürücü, motor sürücü, anahtarlama güç kaynakları ve ağır yük kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate-source voltaj toleransı ile geniş uyumluluğa sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1286 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok