Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR870BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR870BDP
SIR870BDP-T1-RE3 Hakkında
SIR870BDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 81A sürekli drain akımı (Tc'de) ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6.1mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 5.4W (Ta) veya 100W (Tc) güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.8A (Ta), 81A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4870 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok