Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR870ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR870ADP
SIR870ADP-T1-RE3 Hakkında
SIR870ADP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük 6.6mΩ on-resistance değeri ile ısıl verimliliği artırır. Gate charge karakteristiği 80nC olup, hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve invertör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2866 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok