Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR866DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR866DP
SIR866DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR866DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 20V Drain-Source gerilim ve 60A sürekli drenaj akımına sahiptir. PowerPAK® SO-8 paket tipinde üretilen bu komponent, düşük on-dirençi (1.9mOhm @ 20A, 10V) karakteristiği ile güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), DC-DC konvertörler ve yüksek akımlı anahtar devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum kapı gerilimi ve -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Parça güncel üretilmemektedir (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4730 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok