Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR862DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR862DP
SIR862DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR862DP-T1-GE3, N-kanallı MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi, 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.8mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında enerji dönüştürme, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve ağır yük anahtarlamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok