Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR846BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR846BDP
SIR846BDP-T1-RE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIR846BDP-T1-RE3, 100V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 16.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8mΩ düşük RDS(on) değeri sayesinde güç elektronik uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile dizayn edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V eşik gerilimi ile kolay sürülür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2440 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok