Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR846ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR846ADP
SIR846ADP-T1-GE3 Hakkında
SIR846ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içerisinde sunulur. Maksimum 7.8mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 66nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabildir. DC-DC konvertörler, motor kontrolü, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok