Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR840DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR840DP
SIR840DP-T1-GE3 Hakkında
SIR840DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim derecesine sahip bu bileşen, PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılan Metal Oxide FET teknolojisine dayanmaktadır. Düşük on-direnç ve hızlı anahtarlama özellikleri ile tasarlanan bu transistör, kompakt tasarımlar için idealdir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok