Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR838DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR838DP
SIR838DP-T1-GE3 Hakkında
SIR838DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 paket tipi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 33mOhm (10V, 8.3A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 50nC olup hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynaklarında ve endüstriyel kontrol devreleri gibi güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2075 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok