Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR826LDP
SIR826LDP-T1-RE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIR826LDP-T1-RE3, N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 21.3A sürekli akım kapasitesine (Ta), 86A tepe akımına (Tc) sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulur. 5mOhm on-resistance değeri (10V gate geriliminde, 15A drain akımında) ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge karakteristiği 91nC (10V'da) olup, anahtarlama uygulamalarında hızlı ve verimli performans gösterir. DC-DC konvertörler, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama elektriği devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.3A (Ta), 86A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3840 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok