Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR826BDP
SIR826BDP-T1-RE3 Hakkında
SIR826BDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj desteği ve 19.8A kontinü (Ta) / 80.8A (Tc) çıkış akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 5.1mOhm (10V, 15A) on-resistance değeri ile hız kayıplarını minimalize eder. PowerPAK SO-8 paketlemesi kompakt devre tasarımlarına uyum sağlar. Anahtarlama uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetim devrelerinde kullanılır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.8A (Ta), 80.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3030 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok