Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR814DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR814DP
SIR814DP-T1-GE3 Hakkında
SIR814DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 60A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulur. 2.1mOhm Rds(On) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Gate şarj değeri 86nC olup hızlı komütasyon uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 104W güç tüketebilir (Tc). Vgs(th) eşik gerilimi 250µA'da 2.3V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok