Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR812DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR812DP
SIR812DP-T1-GE3 Hakkında
SIR812DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 60A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzeye montajlı paketleme ile kompakt tasarımlar için uygundur. 1.45mΩ (10V gate voltajında, 20A akımda) üst sınır RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 335nC gate charge ve 10240pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama uygulamalarında dikkate alınmalıdır. -55°C ile +150°C junction sıcaklığı aralığında çalışabilir. Motor kontrol, power management, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Ürün şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 335 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10240 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok