Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR802DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR802DP
SIR802DP-T1-GE3 Hakkında
SIR802DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi ve 30A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketine sahiptir. 5mΩ on-direnç (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. Düşük kapı yükü (32nC) ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, yük anahtarlaması ve güç yönetimi devrelerinde uygulanabilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1785 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4.6W (Ta), 27.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok