Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR800DP
SIR800DP-T1-GE3 Hakkında
SIR800DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ile 50A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance (Rds On: 2.3mOhm @ 10V) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında işletilir. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama performansı ve düşük gate charge karakteristiği (133nC @ 10V) ile sinyal entegrasyonunda esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5125 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok