Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR800ADP
SIR800ADP-T1-RE3 Hakkında
Vishay SIR800ADP-T1-RE3, N-channel MOSFET transistörü olarak düşük on-direnç (Rds On) uygulamalarında kullanılan yüksek akım kapasiteli bir anahtarlama elemanıdır. 20V Drain-Source gerilimi ve 50.2A (Ta) / 177A (Tc) devamlı drenaj akımı ile sunduğu özellikleriyle, güç yönetimi, motor sürücüler, batarya yönetim sistemleri ve güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 1.35mΩ maksimum on-direnci ile enerji kaybını minimuma indirir ve 62.5W (Tc) güç tüketim kapasitesi sayesinde ağır yüklü endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50.2A (Ta), 177A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3415 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +12V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok