Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR800ADP
SIR800ADP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR800ADP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür ve düşük Rds(on) değeri ile yüksek akım kapasitesi sunar. 20V Drain-Source voltaj sınırlaması ile 50.2A (Ta) veya 177A (Tc) sürekli drenaj akımına kapaklıdır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 1.35mΩ maksimum gate direnci sayesinde güç kaybını minimize eder. Gate threshold voltajı 1.5V @ 250µA olup, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50.2A (Ta), 177A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3415 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +12V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok