Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR698DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR698DP
SIR698DP-T1-GE3 Hakkında
SIR698DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 7.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketi içerisinde gelmektedir. 195mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 8nC gate charge ve 210pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok