Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR692DP
SIR692DP-T1-RE3 Hakkında
SIR692DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 24.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 63mOhm on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devreleri gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 7.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1405 pF @ 125 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok