Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR690DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR690DP
SIR690DP-T1-GE3 Hakkında
SIR690DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 34.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 35mΩ düşük on-resistance, 37nC gate charge ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile verimli ve güvenilir komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 7.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1935 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok