Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR688DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR688DP
SIR688DP-T1-GE3 Hakkında
SIR688DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V dren-kaynak gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 paket formatında sunulan transistör, düşük 3.5mΩ Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 83W güç dağıtım kapasitesi ve ±20V Vgs toleransı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3105 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok