Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR681DP
SIR681DP-T1-RE3 Hakkında
SIR681DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 17.6A sürekli drain akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 11.2mOhm Rds(On) direncine sahiptir. Güç kaynağı devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve doğru akım dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4850 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok