Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR680LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR680LDP
SIR680LDP-T1-RE3 Hakkında
SIR680LDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj, 31.8A sürekli ve 130A pulsed drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük ısıl direnç sağlayan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. PowerPAK® SO-8 surface mount paketi ile kompakt uygulamalara uygun, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen güvenilir bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.8A (Ta), 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7250 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok