Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR670DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR670DP
SIR670DP-T1-GE3 Hakkında
SIR670DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 4.8mOhm (max) Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2815 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok