Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR668ADP
SIR668ADP-T1-RE3 Hakkında
SIR668ADP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 93.6A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılan yüksek akım kapasiteli bir komponenttir. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. PowerPAK® SO-8 surface mount paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolleri, anahtarlama güç kaynakları, enerji dönüşümü devreleri ve elektrik araçları uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 93.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok