Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR664DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR664DP
SIR664DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR664DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistöründür. 60V drain-source voltajı ve 60A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 6mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paketlemesi kompakt PCB tasarımlarına uygun, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC konvertörler gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate charge 40nC olup hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok