Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR646DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR646DP
SIR646DP-T1-GE3 Hakkında
SIR646DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj kapasitesi ve 60A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 3.8mΩ (10V, 20A) düşük on-direnci sayesinde enerji kaybını minimuma indirir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve elektrik araç sistemlerinde yaygın olarak yer alır. Hızlı açılış-kapanış özellikleri ile 51nC gate charge değeri sayesinde verimli komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2230 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok