Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR644DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR644DP
SIR644DP-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIR644DP-T1-GE3, 40V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, 2.7mΩ maksimum on-direnci (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, ±20V maksimum gate gerilimi ile çalışır ve -55°C ile +150°C arasında işletilir. 71nC gate şarjı ve 3200pF input kapasitesine sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok