Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR642DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR642DP
SIR642DP-T1-GE3 Hakkında
SIR642DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 60A sürekli akım yeteneğine sahip olan bu bileşen, PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.4mΩ on-state direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlayan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, 4.8W (Ta) nominal güç tüketimiyle enerji etkin tasarımlar için uygundur. 84nC gate charge ve 4155pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4155 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok