Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR640ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR640ADP
SIR640ADP-T1-GE3 Hakkında
SIR640ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 41.6A sürekli drenaj akımı (Ta) / 100A (Tc) kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. 2mΩ on-dirençi (Rds On) ile düşük güç kayıpları sağlar. Endüstriyel denetim sistemleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Yüksek anahtarlama hızı ve kompakt tasarımı, katı alan gereksinimleri olan uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41.6A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4240 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok