Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR638DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR638DP
SIR638DP-T1-RE3 Hakkında
SIR638DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 0.88mOhm (10V, 20A'da) gibi düşük açık direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Surface mount teknolojisi sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygun.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 204 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok