Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR638DP
SIR638DP-T1-GE3 Hakkında
SIR638DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 100A sürekli drain akımı yeteneği ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 0.88mΩ RDS(on) direncine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 104W güç dağıtabilir. 4.5V ve 10V gate drive voltajlarında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 204 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok