Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR632DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR632DP
SIR632DP-T1-RE3 Hakkında
SIR632DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, şalter uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 34.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 69.5W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 7.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok