Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR626LDP
SIR626LDP-T1-RE3 Hakkında
SIR626LDP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 45.6A (Ta) / 186A (Tc) drain akımı özelliğine sahiptir. 1.5mΩ (max) RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. PowerPAK® SO-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45.6A (Ta), 186A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5900 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok