Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR626DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR626DP
SIR626DP-T1-RE3 Hakkında
SIR626DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük 1.7mΩ on-resistance değeri sayesinde güç tüketimini minimize eder. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan transistör, 104W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 7.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5130 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok