Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR626ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR626ADP
SIR626ADP-T1-RE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SIR626ADP-T1-RE3, N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 25°C'de 40.4A sürekli drain akımı sağlar. Düşük on-dirençi (1.75mOhm @ 10V, 20A) sayesinde güç uygulamalarında kayıpları minimize eder. PowerPAK SO-8 surface mount paketinde sunulan transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, DC-DC konvertörlerde ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40.4A (Ta), 165A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3770 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok