Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR624DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR624DP
SIR624DP-T1-RE3 Hakkında
SIR624DP-T1-RE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ile medium voltage uygulamalarda kullanılmaktadır. Maksimum 18.6A (Tc) drain akımı ve 60mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC konverterlerinde ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. PowerPAK® SO-8 surface mount paket içerisinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 52W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 30nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta), 18.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok