Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR624DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR624DP
SIR624DP-T1-GE3 Hakkında
SIR624DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 18.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketiyle küçük alan gereksinimi sağlar. 60mOhm RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 52W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güçlü devrelerde çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 7.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok