Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIR618DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIR618DP
SIR618DP-T1-GE3 Hakkında
SIR618DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 14.2A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 95mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarım gerektiren devreler için uygundur. Dc-dc konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 7.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok